Memory 作為 IC 領域最重要的一個領域，2014 年銷售規模達到 792 億美元，占到整個半導體市場規模的 23.6%。而目前，這一領域由于其極高的技術壁壘和資本壁壘，在全球形成了極強的寡頭壟斷，三四家廠商壟斷了全球 90%以上的市場，而國內在這一領域還完全是空白。近幾年，Memory 產品受益于移動智能終端快速滲透，帶來對產品需求的高速增長，過去三年復合增長率 18%，遠高于半導體行業整體 7%的增長速度，成為整個半導體產業增長的主要推動力。未來幾年全球 Memory 市場仍有望保持快速增長。1）個人電腦與手機等移動終端的需求旺盛，拉動了 DRAM 產值的大幅增加。2）智能手機與固態硬盤（SSD）將成為 NAND Flash最大需求。3）3D NAND Flash 成為存儲芯片的重要增長點。

全球 Memory 市場規模巨大，近幾年快速增長

　　存儲芯片根據斷電后所儲存的數據是否會丟失，可以分為易失性存儲器（Volatile Memory）和非易失性存儲器（Non-Volatile Memory） ，其中 DRAM 與 NAND Flash 分別為這兩類存儲器的代表。盡管存儲芯片種類眾多，但從產值構成來看， DRAM 與 NAND Flash 已經成為存儲芯片產業的主要構成部分。根據IDC 的統計數據，2013 年存儲芯片市場規模接近 690 億美元，而 DRAM 和 NAND Flash就占據了約 600 億美元，占比超過 85%。

Memory 產品分類

　　根據 IHS 的統計，2015 年第三季度三星 DRAM 全球市場占有率達到 45.2%，SK海力士占有率為 27.3%，第三大廠商美光占有率為 20.4%，前三大龍頭合計市占率達到了 93%。在Nand Flash 市場上，2014 年三星市占率為 36.5%，東芝為 31.8%，海力士為 18.9%，美光為 12.8%，前四家廠商幾乎壟斷整個市場。

DRAM 前三家市占率超 90%

Nand Flash 幾乎被四家廠商壟斷

　　受益于全球電子產業鏈過去幾年快速向國內轉移， 全球 Memory 產品需求也快速向國內轉移。2014 年國內 Memory 產品市場規模已經超過了 200 億美元，并且未來幾年仍將保持高速增長，2018 年更是有望達到 430 億美元。

國內 Memory 市場規模快速增長，2018 年有望達到約 430 億美元

　　對于 Memory 產業，無論是武漢新芯投資 240 億美金，或者是此前同方國芯投資 932 億元建廠僅僅只是萬里長征的第一步，發展國內 Memory 產業仍任重道遠。武漢新芯的 240 億美金和同方國芯的 932 億元人民幣，這一投資金額看上去非常巨大。但是與國際 Memory 巨頭資本支出相比，也并未拉開顯著差距。三星 2015 年一年規劃的資本支出就達到了 151 億美元。海力士與美光今年的資本支出規劃也分別有 51 億美元和 38 億美元。

國際 Memory 巨頭資本支出情況

　　目前， 中芯國際 12 寸產能為 51,000 片/月， 華力微大約為 20,000 片/月， 武漢新芯約為 20,000片/月。這意味從國內最初開始建造 12 寸晶圓廠，到現在十多年時間里，國內總共形成了91,000 片/月的產能。考慮三星去年剛剛投產的 10 萬片產能，目前國內 12 寸晶圓產能合計為 36.1 萬片/月。

國內12寸硅晶圓產能大幅增長

　　據上海新陽公告的大硅片項目測算，2020 年國內對12 寸硅片的需求將達到 100 萬片/ 月，更是當前國內產能的三倍。

國內12 寸晶圓廠產能情況