終端、云端應(yīng)用增長(zhǎng)爆炸，存儲(chǔ)器銷售額預(yù)計(jì)增長(zhǎng) 58%，達(dá) 1220 億美元。終端方面，手機(jī)存儲(chǔ)升級(jí)、PC 固態(tài)硬盤滲透率提升是拉動(dòng)需求主因。2016 下半年以來各大手機(jī)廠商RAM、Flash 容量紛紛升級(jí)，以蘋果手機(jī)為例，iPhone7 Plus 起運(yùn)行內(nèi)存由 2GB 升至 3GB，蘋果全線手機(jī)閃存最低配置由 16GB 升至 32GB，iPhone8 起閃存最低配置升至 64GB，最高至 256GB；安卓廠商則紛紛推出 6GB 運(yùn)行內(nèi)存機(jī)型，主流機(jī)型 64GB 閃存已較為尋常。PC 固態(tài)硬盤（SSD）相較機(jī)械硬盤（HDD）具有讀寫速度快、防震動(dòng)、無噪音、輕薄、節(jié)能等一系列優(yōu)點(diǎn)，SSD 取代 HDD 是未來趨勢(shì)，當(dāng)前限制因素主要是 SSD 成本偏高。2015 年 PC 市場(chǎng) SSD 滲透率為 25%，2017 年已達(dá) 40%。云端方面，企業(yè)級(jí) SSD 存儲(chǔ)需求是重要成長(zhǎng)點(diǎn)，應(yīng)用包括視頻安防、云端服務(wù)器等領(lǐng)域。以監(jiān)控存儲(chǔ)需求為例，每臺(tái) 1080P 設(shè)備每天大概產(chǎn)生 40GB 的存儲(chǔ)需求，每年達(dá) 14TB。云端服務(wù)器市場(chǎng)客戶包括 Facebook、亞馬遜(Amazon)、百度、阿里巴巴、Google 等，2017 年市場(chǎng)規(guī)模 1840萬臺(tái)。HDD 由于容量大、成本低目前仍是云端市場(chǎng)主流，約占 80%，中長(zhǎng)期來看，隨著 3DNAND 技術(shù)逐漸成熟，SSD 取代 HDD 速度或?qū)⒓涌欤瑢脮r(shí)對(duì) NAND Flash 需求或爆發(fā)，恐再次出現(xiàn)供不應(yīng)求現(xiàn)象。預(yù)計(jì) 2017 年存儲(chǔ)器市場(chǎng)同比增長(zhǎng) 58%,銷售額達(dá) 1220億美元。

筆記本電腦 SSD 滲透率

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　　NANDFlash、DRAM 為存儲(chǔ)器市場(chǎng)主力軍，NORFlash 市場(chǎng)小但機(jī)會(huì)大。按照市場(chǎng)規(guī)模看，DRAM 約占存儲(chǔ)器市場(chǎng) 53%，NANDFlash 約占存儲(chǔ)器市場(chǎng) 42%，二者合計(jì)份額達(dá)95%，為存儲(chǔ)器市場(chǎng)主要構(gòu)成產(chǎn)品。2017 年 NAND Flash 銷售額預(yù)計(jì)年增 44%，DRAM 銷售額預(yù)計(jì)年增 74%，拉動(dòng)作用極其明顯。NOR Flash 主要機(jī)會(huì)在于市占率約 25%的賽普拉斯、市占率近 20%的美光陸續(xù)退出市場(chǎng)，而物聯(lián)網(wǎng)、工控應(yīng)用等市場(chǎng)需求依舊旺盛，對(duì)于現(xiàn)有玩家而言填補(bǔ)市場(chǎng)機(jī)會(huì)巨大。從長(zhǎng)期角度來看，NANDFlash仍為未來市場(chǎng)主要方向。2020 年 NANDFlash 市場(chǎng)規(guī)模上看 650億美元。

全球存儲(chǔ)器產(chǎn)品結(jié)構(gòu)（按銷售額）

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圖全球存儲(chǔ)器銷售額及年增率（百萬美元）

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　　NAND Flash 存儲(chǔ)價(jià)格上漲分化，部分產(chǎn)品短期價(jià)格有所回調(diào)。2017 年 Q1 至 Q3 NANDFlash 延續(xù)了 2016 年的漲勢(shì)，2017 年初至 10 月 128GbMLC 漲幅達(dá) 44%。在大趨勢(shì)上漲之下，自 2017Q3 開始，NAND Flash 部分產(chǎn)品價(jià)格漲勢(shì)放緩并有所回調(diào)，其中 64GB MLC價(jià)格于 2017Q3 下降 8%左右。NANDFlash 下游嵌入式存儲(chǔ) eMMC 及 SSD 價(jià)格總體呈上漲趨勢(shì)，Q3 以來同樣呈微幅震蕩態(tài)勢(shì)。后期 NANDFlash 價(jià)格走勢(shì)仍不明朗。

NAND Flash 價(jià)格（單位：美元）

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NAND Flash 下游嵌入式存儲(chǔ)和 SSD 價(jià)格（單位：美元）

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　　NAND 存儲(chǔ)器技術(shù)處于變革關(guān)鍵時(shí)間點(diǎn)，未來價(jià)格關(guān)注 3D 產(chǎn)能情況。NAND 存儲(chǔ)器制程轉(zhuǎn)換遭遇瓶頸，采用 3D 堆疊技術(shù)為主要解決方案。3D 產(chǎn)能目前三星投產(chǎn)率、良率最高，其 64 層 3D-NAND 三季度已進(jìn)入量產(chǎn)階段，3D 產(chǎn)出占投產(chǎn)量達(dá) 50%，其他廠商亦在 Q3 有所放量，粗略估計(jì) 2017Q3 全球新增產(chǎn)能超 20 萬片/月，新增產(chǎn)能對(duì) NAND Flash 供應(yīng)緊缺的壓力有所緩解。

　　同時(shí)，3D NAND Flash 存儲(chǔ)密度高，單位容量成本低：據(jù)中國閃存市場(chǎng)網(wǎng)估計(jì)，3D NAND 技術(shù)下每 GB 成本約 0.1 美金，較 2D 結(jié)構(gòu)至少低 30%。在 48 層 3D TLC架構(gòu)下，1TB SSD 成本已低于 2D TLC 架構(gòu)，3DNAND 較 2DNAND 更為經(jīng)濟(jì)。另一方面，NANDFlash 下游需求增長(zhǎng)空間仍大：智能手機(jī)及 SSD 滲透率提升仍構(gòu)成 NAND Flash 的巨大需求。供給產(chǎn)能的緩解與需求空間的提升對(duì) NAND Flash 價(jià)格構(gòu)成相反影響，未來價(jià)格變化依舊有待觀察。

2017 年 NAND Flash 主要廠商產(chǎn)量（單位：萬片）

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2017 年主要 Flash 原廠新增 3D NAND 投產(chǎn)規(guī)劃

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2D 和 3D 1TB SSD 成本對(duì)比（單位：美元）

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　　DRAM 價(jià)格繼續(xù)走強(qiáng)，維持上漲態(tài)勢(shì)。DRAM 價(jià)格于 2017Q2 有所回調(diào)，2017Q3 后則繼續(xù)維持 2016 年以來漲勢(shì)，2017 年初至 10 月，DDR3 4G 1600MHz 價(jià)格上漲 25%左右。拉動(dòng) DRAM 價(jià)格上漲原因主要有：（1）需求端來看，終端云端需求不減：終端智能手機(jī)內(nèi)存容量升級(jí)，云端服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心的強(qiáng)勁需求均拉動(dòng) DRAM 需求的增長(zhǎng)。（2）供給端來看，DRAM 廠產(chǎn)能增加有限：三大 DRAM 廠（三星、海力士、美光）產(chǎn)能增加空間已相當(dāng)有限，接近滿載，從產(chǎn)能規(guī)劃來看，2018 年新增投片量?jī)H約 5-7%，源于現(xiàn)有工廠產(chǎn)能的重新規(guī)劃，資本支出傾向于保守，僅 SK 海力士決議在無錫興建新廠，最快產(chǎn)能開出時(shí)間落在2019 年。需求供給兩側(cè)來看，預(yù)計(jì) 2018 年 DRAM 價(jià)格仍將維持上漲態(tài)勢(shì)。

DRAM 價(jià)格（單位：美元）

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　　NORFlash 價(jià)格季漲 10%~15%，供不應(yīng)求漲勢(shì)延續(xù)。由于 NORFlash 市場(chǎng)較小，2016年以來 NORFlash 巨頭美光及 Cypress 紛紛宣布淡出，退至較高端車用及工控市場(chǎng)，主要供應(yīng)轉(zhuǎn)入旺宏、華邦電、兆易創(chuàng)新等廠商，一時(shí)間供給不及需求，漲價(jià)幅度迅速擴(kuò)大。由于芯片內(nèi)執(zhí)行的特性，NORFlash 尚無法被完全取代，未來市場(chǎng)機(jī)會(huì)較大。兆易創(chuàng)新目前全球NORFlash 市占率排名第六，與臺(tái)廠采用 IDM 模式 8 寸和 12 寸晶圓產(chǎn)線均擴(kuò)產(chǎn)謹(jǐn)慎不同，兆易創(chuàng)新采用 12 寸晶圓 Fabless 代工模式，主要代工廠從武漢新芯向中芯國際逐步轉(zhuǎn)移，未來理論產(chǎn)能較為充足，大幅受益于產(chǎn)品價(jià)格上漲。

NORFlash 廠商市占率

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