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2017年中國SiC 功率器件行業發展潛力分析及未來市場前景預測
2017/5/3 10:28:15 來源:中國產業發展研究網 【字體:大 中 小】【收藏本頁】【打印】【關閉】
核心提示:功率器件性能的改變不僅表現在能量變換效率的提升,而且表現在系統裝置能量處理能力上———功率密度的提升,此指標平均每 4 年就提升 1 倍,被業界稱為“功率電子領域的摩爾定律”。功率器件性能的改變不僅表現在能量變換效率的提升,而且表現在系統裝置能量處理能力上———功率密度的提升,此指標平均每 4 年就提升 1 倍,被業界稱為“功率電子領域的摩爾定律”。
目前市場主流的功率半導體器件是 Si 基器件,包括部分 SOI(Silicon onInsulator)基高壓集成電路。但隨著半導體工藝技術不斷改進, Si 基 器件性能已經趨向其材料本身的理論極限,使得功率密度的增長出現了飽和趨勢,其發展速度已無法滿足市場的高性能要求。隨著以 SiC(碳化硅)和 GaN(氮化鎵)為代表的寬禁帶半導體材料制備、制造工藝與器件物理的迅速發展, SiC 和硅基 GaN 電力電子器件逐漸成為功率半導體器件的重要發展領域。
功率器件半導體材料的物性參數對比
數據來源:公開資料整理
考慮到混合動力車、電動車、 電源供應裝置與太陽能電力轉換器等市場需求不斷上揚, Yole 預估全球 SiC 與 GaN 功率半導體市場將由 2015 年的 2.1億美元,先上揚為 2020 年的 10 億美元以上,然后于 2025 年飆升至 37 億美元。
SiC/GaN 比 Si 基器件更適合高功率、高頻率領域,逐步侵蝕 IGBT、 MOSFET 市場份額
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SiC 功率器件高耐壓低損耗,可實現高效率、小型化和輕量化
SiC 功率器件比 Si 器件具有更低導通電阻及更高切換速度,具有高耐壓、低損耗、高導熱率等優異性能,有效實現電力電子系統的高效率、小型化和輕量化。SiC 功率器件的能量損耗只有 Si 器件的功率 50%,發熱量也只有 Si 器件的 50%;且有更高的電流密度。在相同功率等級下, SiC 功率模塊的體積顯著小于 Si 功率模塊,以智能功率模塊 IPM 為例,利用 SiC 功率器件,其模塊體積可縮小至 Si 功率模塊的 1/3~2/3。
SiC JFET 與 SiC MOSFET
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打破原有產業鏈, SiC 器件為不同類型供應商創造新機遇
預計,功率 SiC 市場將會加速發展。功率 SiC市場的增長將為無源元件供應商、材料供應商、測試設備供應商等多種不同類型廠商提供市場機會,并在該領域價值鏈上尋找自己的位置:模組封裝層面, Starpower 在 2016 年 5 月展示了其 SiC 模組;器件層面, Littlefuse 在 2015 年投資 Monolith Semiconductors,2016 年 5 月發布了 SiC 二極管產品,并將繼續開發一系列 SiC 產品。器件層面的新進廠商還包括 Brückewell、揚州揚杰科技、Gengol 等,他們都具有不同的背景和商業模式;材料方面, SiC 晶體生長爐供應商 Aymont 開始供應 SiC 晶圓;同時現有 SiC 廠商將會擴展其產品系列,例如:英飛凌 2012 年推出SiC JFET 系列器件,并于近期發布了 1200V SiC MOSFET,并計劃于 2017 年實現大規模生產; Fuji(富士電機)的全 SiC 模組即將上市。
SiC 與 GaN 器件各自向不同應用領域拓展
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不同 SiC 器件發展各異,國內外產業規模差距大
國際上,美國科銳(Cree)公司 2003 年率先推出 SiC 產品,但并沒有引起市場注意,直到 2010 年以后,業界才真正開始關注 SiC功率器件,一些廠家如 Cree、 Rohm、 Infineon、 ST、 Microsemi陸續推出相關產品。
在國內, SiC 功率器件的研究始于 20 世紀末, 直到 2014 年,國內 SiC 二極管實現了量產化,但并沒有形成完整產業鏈,與國外的產業規模相比有很大差距。目前,國內實現碳化硅(SiC)功率器件量產的公司只有泰科天潤半導體等幾家,其量產的肖特基二極管 600~1700V 系列各項指標均已達到國際先進水平。
SiC/GaN 功率器件商業化應用時間
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市場接受度加速提升,未來保持高增長
2014 年全球 Si 功率器件市場規模約 150 億美元, 其中 SiC 功率器件為 1.2 億美元,不到 Si 功率器件的 1%。 SiC 器件 2014 年總市場規模約為 1.33 億美元,至 2020 年市場規模可達 4.36 億美元,年復合增長率為 22%。
預測,至 2025 年:碳化硅 MOSFET 市場規模將會超越 3 億美元,成為僅次于碳化硅肖特基二極體的第二大碳化硅離散功率元件;SiC FETs 與 BJTs 產品獲得市場信賴,但多應用于專業或小眾產品,規模遠低于 SiC MOSFET 市場;結合 SiC 二極管與 Si IGBT 所形成的混合式 SiC 功率模組, 2015年該產品市場銷售額約為 3,800 萬美元,預計 2025 年銷售額將會突破 10 億美元。
SiC 功率器件市場前景預測
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