2015年，我國金屬硅各品種平均價格下滑幅度均在10-15%之間，而且全年的最低價格在年底。下游產品價格快速下滑、全年供應持續增加和海外市場需求減少是導致我國金屬硅市場供應過剩、價格進一步走低的主要原因。

多晶硅價格走勢圖

資料來源：公開資料整理

　　過去幾年因為需求疲弱和技術革新，多晶硅價格從 2011 年 50 美元/公斤一路下跌至最新的13 美元/公斤。但我們判斷國內多晶硅的價格將逐步企穩并有望企穩并微升，主要 依據有：

　　1）多晶硅價格目前處于一個弱平衡周期，絕對的供過于求階段已經過去，需 求端的改善對價格提振的邊際作用較大，而光伏下游因為上網電價下調政策將在上半 年迎來搶裝行情，進而刺激對于多晶硅的需求；

　　2）人民幣貶值造成進口多晶硅的成本增加，進而使國內多晶硅生產商間接受益。

硅片價格走勢圖

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　　半導體硅材料(semiconductor silicon)是最主要的元素半導體材料，包括硅多晶、硅單晶、硅片、硅外延片、非晶硅薄膜等，可直接或間接用于制備半導體器件。

　　（一）單晶硅

　　單晶硅是一種比較活潑的非金屬元素，是晶體材料的重要組成部分。硅的單晶體，具有基本完整的點陣結構的晶體。不同的方向具有不同的性質，是一種良好的半導材料。純度要求達到99.9999％，甚至達到99.9999999％以上。用于制造半導體器件、太陽能電池等。用高純度的多晶硅在單晶爐內拉制而成。

　　熔融的單質硅在凝固時硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核，如果這些晶核長成晶面取向相同的晶粒，則這些晶粒平行結合起來便結晶成單晶硅。單晶硅具有準金屬的物理性質，有較弱的導電性，其電導率隨溫度的升高而增加，有顯著的半導電性。超純的單晶硅是本征半導體。在超純單晶硅中摻入微量的ⅢA族元素，如硼可提高其導電的程度，而形成p型硅半導體；如摻入微量的ⅤA族元素，如磷或砷也可提高導電程度，形成n型硅半導體。單晶硅的制法通常是先制得多晶硅或無定形硅，然后用直拉法或懸浮區熔法從熔體中生長出棒狀單晶硅。單晶硅主要用于制作半導體元件。

　　單晶硅的主要用途是制造半導體硅器件的原料，用于制大功率整流器、大功率晶體管、二極管、開關器件等。

　　（二）多晶硅

　　多晶硅有著灰色金屬光澤。密度2.32~2.34。熔點1410℃。沸點2355℃。溶于氫氟酸和硝酸的混酸中，不溶于水、硝酸和鹽酸。硬度介于鍺和石英之間，室溫下質脆，切割時易碎裂。加熱至800℃以上即有延性，1300℃時顯出明顯變形。常溫下不活潑，高溫下與氧、氮、硫等反應。高溫熔融狀態下，具有較大的化學活潑性，能與幾乎任何材料作用。具有半導體性質，是極為重要的優良半導體材料，但微量的雜質即可大大影響其導電性。

　　多晶硅是單質硅的一種形態。熔融的單質硅在過冷條件下凝固時，硅原子以金剛石晶格形態排列成許多晶核，如這些晶核長成晶面取向不同的晶粒，則這些晶粒結合起來，就結晶成多晶硅。多晶硅可作拉制單晶硅的原料，多晶硅與單晶硅的差異主要表現在物理性質方面。

　　多晶硅在電子工業中廣泛用于制造半導體收音機、錄音機、電冰箱、彩電、錄像機、電子計算機等的基礎材料。由干燥硅粉與干燥氯化氫氣體在一定條件下氯化，再經冷凝、精餾、還原而得。

　　（三）非晶硅

　　非晶硅是一種直接能帶半導體，它的結構內部有許多所謂的“懸鍵”，也就是沒有和周圍的硅原子成鍵的電子，這些電子在電場作用下就可以產生電流，并不需要聲子的幫助，因而非晶硅可以做得很薄，還有制作成本低的優點。

　　制備方法：由非晶態合金的制備知道，要獲得非晶態，需要有高的冷卻速率，而對冷卻速率的具體要求隨材料而定。硅要求有極高的冷卻速率，用液態快速淬火的方法目前還無法得到非晶態。近年來，發展了許多種氣相淀積非晶態硅膜的技術，其中包括真空蒸發、輝光放電、濺射及化學氣相淀積等方法。一般所用的主要原料是單硅烷 (SiH4)、二硅烷(Si2H6)、四氟化硅(SiF4)等，純度要求很高。

　　非晶硅可以制成非晶硅場效應晶體管，用于液晶顯示器件、集成式Si-倒相器、集成式圖象傳感器、以及雙穩態多諧振蕩器等器件中作為非線性器件；利用非晶硅膜可以制成各種光敏、位敏、力敏、熱敏等傳感器；利用非晶硅膜制做靜電復印感光膜，不僅復印速率會大大提高，而且圖象清晰，使用壽命長等。