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2016年中國光刻膠行業市場現狀及發展前景分析
2016/9/7 10:45:18 來源:中國產業發展研究網 【字體:大 中 小】【收藏本頁】【打印】【關閉】
核心提示:光刻膠是由光引發劑、樹脂以及各類添加劑等化學品組成的對光敏感的感光性材料。光刻膠是電子化學品中技 術壁壘最高的材料,也是半導體集成電路生產制造的核心材料,光刻工藝的成本約為整個芯片制造工藝的 35%,并 且耗費時間約占整個芯片工藝的 40%光刻膠是由光引發劑、樹脂以及各類添加劑等化學品組成的對光敏感的感光性材料。光刻膠是電子化學品中技 術壁壘最高的材料,也是半導體集成電路生產制造的核心材料,光刻工藝的成本約為整個芯片制造工藝的 35%,并 且耗費時間約占整個芯片工藝的 40%-60%。光刻膠是一種有機物,它受紫外光曝光后,在顯影液中的溶解度會發生 變化,在硅片制造中的主要作用是將掩模版圖案轉移到硅片表面,在刻蝕或離子注入阻擋層等工藝中起到保護下面 材料的作用。
光刻膠在集成電路制造工藝中的應用
光刻膠的產品類型及用途
全球光刻膠被幾大巨頭所壟斷
目前,全球光刻膠市場規模為350億元,其中我國市場規模在100億元左右,目我國光刻膠消費量約1400噸,其中,國內低端產品產能約為300噸/年,高端產品主要依賴進口,對外依存度達80%。目前供應光刻膠的企業,大部分都由在半導體產業發展初期就開始參與市場的有機感光材料龍頭企業所占據。國內生產光刻膠的主要企業有飛凱材料、北京化學試劑研究所、蘇州瑞紅、北京科華、無錫化工設計研究院等。國內光刻膠生產企業普遍規模較小、產品質量不高,與國外差距較大。預計未來隨著國內企業技術的不斷成熟和新建項目的陸續投產,光刻膠進口替代空間巨大。
我國光刻膠生產及市場規模情況
全球光刻膠市場規模持續增長,2014 年達到 70.2 億美元。與全球市場相比,國內光刻膠市場規模增速更快,年均 復合增長率(CAGR)達到 16.7%,未來光刻膠市場需求依然保持快速增長。
國內光刻膠市場規模(億元)
全球光刻膠市場份額
目前,我國光刻膠的主要廠商為北京科華和蘇州瑞紅。瑞紅是蘇州電子材料集團和日本 Zeon 公司及丸紅公司于 1993 年成立的合資公司。兩家公司技術儲備比較相似,但產品側重點不同。科華的光刻膠產品主要包括 IC 光刻膠、配套 試劑和平板顯示光刻膠。
中國光刻膠廠商
目前,平板顯示光刻膠的國產化比率較高,集成電路光刻膠的國產化比率較低。2011 年,國內半導體光刻膠及配套試劑的市場規模達到 23.2 億元,但光刻膠的國產化比率僅為 11.7%。科華在 6 英寸以下晶圓制造的光刻膠占有的市 場份額較高,約為 20%;在 8 英寸晶圓制造領域,科華的產品開始進入市場;而在目前產能缺口最大的 12 英寸的 晶圓制造領域,科華目前還沒有推出產品,但正在進行推廣,目標客戶為中芯國際。
我國光刻膠國產化現狀
目前,我國半導體光刻膠使用量最大的為紫外正性光刻膠(I-線),市場使用量為 280 噸/年,銷售額 2.12 億元;其 次為深紫外光刻膠(ArF),市場使用量為 160 噸,銷售額為 5.1 億元。目前國內生產的 IC 光刻膠以 G 線和 I 線光刻 膠為主,科華是第一個進入 KrF(248nm)光刻膠領域的國內廠商,并且已經通過中芯國際的認證,ArF(193nm) 光刻膠也僅有科華立項。
光刻技術與集成電路技術的關系
隨著集成電路水平的不斷發展,光刻技術也將逐步向下一代演進。由于減小曝光光源的波長可以提高分辨率,更短 波長的光刻技術是發展的趨勢。193nm 浸入式光刻技術、極短紫外光刻技術(EUVL)、電子束光刻技術(EBL)、X 射 線光刻技術(XRL),離子束投影光刻技術(IPL)都有可能成為下一代光刻技術,與之相對應的光刻膠稱之為下一代光刻膠。
新型光刻技術
技術對國內光刻膠企業而言,是市場份額的攔路虎,還是 實現彎道超車的殺手锏,關鍵取決于國內企業的戰略布局與研發水平。2014 年,北京科華、中科院化學所、蘇州瑞 紅、濰坊星泰克和徐州博康共同討論并制定了中國光刻膠的發展路線圖。
中國光刻膠技術發展路線圖
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