近日，集邦咨詢發布報告，第三季度全球晶圓代工產值達到272.8億美元，季增11.8%。這已經是晶圓代工業連續9個季度創下歷史新高。而在筆記本電腦、網絡通信、汽車、物聯網等產品需求旺盛，終端用戶維持強勁備貨的帶動下，業界普遍看好2022年的晶圓代工市場，預計明年晶圓代工產值將達1176.9億美元，年增13.3%，續創新高。

　　市場規模漲幅或超預期

　　消息稱，全球第三大晶圓代工廠聯電將啟動新一輪漲價，如果屬實，這將是聯電年內的第三次漲價。據悉，本次漲價將主要針對占聯電營收三成以上的三大美系客戶，漲幅約8%至12%不等，自2022年元月起生效。聯電目前美系主要客戶包括AMD、高通、德儀、英偉達等，并握有英飛凌、意法半導體等歐洲大廠的訂單。由于此次漲價對象營收占比甚高，漲幅也相當可觀，將有助提升聯電的盈利水平。其實不只聯電，近日有傳言稱，臺積電也將在12月份再次調高晶圓代工報價。

　　近一年來，5G、AI、自動駕駛以及消費電子產業的發展，大幅推動了半導體市場的增長，也使晶圓代工產能始終處于供不應求的狀態。這為晶圓代工企業提供了漲價的基礎。在此情況下，業界普遍看好晶圓代工業的發展。

　　集邦咨詢報告顯示，第三季度晶圓代工產值高達272.8億美元，季增11.8%，已連續9個季度創下歷史新高。其中，臺積電在蘋果發布iPhone新機帶動下，第三季度營收達148.8億美元，穩居全球第一。位居第二的三星也取得環比11%的增長、第三季度營收48.1億美元的佳績。中芯國際受益于PMIC、Wi-Fi、MCU、RF等產品需求穩定，第三季度營收達14.2億美元，排名第五。

　　晶圓代工業明年的市場情況也被業界所看好。高盛證券上調明年首季晶圓代工企業報價漲幅預估，由原預估的5%內，提升為5%至10%，亦即漲幅有機會比預期高一倍。集邦咨詢則預計明年晶圓代工產值將達1176.9億美元，年增13.3%。“晶圓廠的漲價，反映大者恒大趨勢，實際上也是競爭力提升的表現。”半導體專家莫大康表示。

　　代工產能仍將吃緊

　　價格的上漲反映了市場的供需狀況，業界預計明年代工產能仍然吃緊，特別是明年上半年的市場狀況已較為明朗。

　　臺積電總裁魏哲家在第三季度公司法說會上表示，維持晶圓代工產能吃緊至2022年的看法。就市場供需情況，魏哲家提到，持續看到受到新冠肺炎疫情影響而產生的供應鏈短期失衡現象，預計供應鏈維持較高庫存現象將持續一段時間。無論短期失衡現象是否持續下去，相信臺積電技術領先地位能滿足先進制程及特殊制程技術的強勁需求。

　　力積電董事長黃崇仁也表示，盡管消費電子產品需求放緩，但汽車電子、5G和其他網絡通信應用的芯片需求仍超過供應，他仍看好2022年整體代工市場前景。“顯示驅動器IC等芯片的需求正在放緩，但許多其他IC仍供不應求。汽車芯片、5G等高端網絡芯片的短缺將持續到明年。”黃崇仁說道。

　　集邦咨詢發布報告指出，在歷經連續兩年的芯片荒后，各大晶圓代工廠宣布擴建的產能將陸續在2022年開出，且新增產能集中在40nm及28nm制程，預計現階段極為緊張的芯片供應將稍微緩解。然而，由于新增產能貢獻產出的時間點落在2022下半年，屆時正值傳統旺季，在供應鏈積極為年底節慶備貨的前提下，產能緩解的情況有可能不太明顯。此外，雖然部分40/28nm制程零部件可稍獲舒緩，但8英寸生產線主導的0.1微米工藝和12英寸生產線的1Xnm工藝，增產幅度有限，屆時產能仍有可能不能滿足需求。整體來說，2022年晶圓代工產能仍將處于略為緊張的情況。

　　3nm工藝爭奪成新看點

　　先進工藝產能依然是2022年晶圓代工業競爭的重點。來自5G、云計算、大數據相關應用的帶動，未來幾年對高性能計算、低功耗的需求不斷增加，將更需要先進工藝的支持。近日，臺積電3nm工藝試產提前，立即成為英特爾、聯發科、AMD、英偉達、蘋果等奪爭的對象。此前，臺積電計劃今年年底試產3nm，明年下半年量產。與5nm工藝相比，3nm工藝可以將晶體管密度提高70%，性能提高15%，功耗降低30%。

　　三星積極爭奪3nm的先手優勢。三星電子總裁兼代工業務負責人Siyoung Choi日前在晶圓代工論壇上宣布，三星電子將于2022年上半年開始生產首批3nm芯片，第二代3nm芯片預計將于2023年開始生產。按照規劃，三星電子的3nm GAA工藝將采用MBCFET晶體管結構，與5nm工藝相比，其面積減少了35%，性能提高了30%，且功耗降低了50%。Siyoung Choi談道：“我們將提高整體產能并引領最先進的技術，同時進一步擴大硅片規模，并通過應用繼續技術創新。”事實上，此前三星曾經計劃于今年便開始量產3nm工藝。但是，轉向全新制造技術的難度很大，使得三星不得不將量產時間推遲。然而，三星推遲后的量產計劃依然早于臺積電。

　　三星與臺積電在2nm工藝上的競爭更加激烈。在晶圓代工論壇上，Siyoung Choi表示，三星電子將于2025年推出基于MBCFET的2nm工藝。據媒體報道，臺積電預計2nm工藝的全面量產約在2025年—2026年。

　　此前，三星、IBM和英特爾簽署聯合開發協議，共同研發2nm制造工藝。今年5月，IBM率先發布全球首個2nm制造工藝。實現在芯片上每平方毫米集成3.33億個晶體管，遠超此前三星5nm工藝的每平方毫米約1.27億晶體管的數量，極大地提升了芯片性能。

　　隨著5G、高性能計算、人工智能的發展，市場對先進工藝的需要越來越高。3/2nm作為先進工藝下一代技術節點，成為三星、臺積電的發展重點。半導體專家莫大康指出，由于2nm目前尚處于研發階段，其工藝指標尚不清楚。因此，不能輕易判斷是否也一個大節點。然而根據臺積電的工藝細節詳情，3nm晶體管密度已達到了2.5億個/mm2，與5nm相比，功耗下降25%～30%，功能提升了10%～15%。2納米作為下一代節點，性能勢必有更進一步的提升，功耗也將進一步下降，市場對其的需求是可以預期的。(記者 陳炳欣)

　　 轉自：中國電子報