“我們在正確的道路上，向著正確的方向取得了實實在在的發展。”長江存儲總經理楊士寧在本周舉行的“2016年中國集成電路產業發展研討會暨第十九屆中國集成電路制造年會”上發出如此感慨，并得到中芯國際、華虹宏力等集成電路龍頭企業與會代表的認同。

　　與此同時，在上游的集成電路設備及材料領域，中微半導體、北方微電子七星電子子公司、盛美半導體、北京科華等企業代表也表示，已實現了“從無到有”的跨越。他們認為，隨著市場重心向中國轉移，國內集成電路制造業隨之而起的大規模擴張也是上游設備材料產業千載難逢的發展機遇。

　　但不容忽視的是，在發展機遇面前，創新能力和人才儲備已成為國內集成電路產業亟待解決的問題。從緊跟世界領先水平，到走向自主創新，產業升級擴張所需要的人才支撐、人才培養和人才聚集，已被龍頭企業和工信部等政府部門提上了日程。

　　制造環節追趕先進

　　“大基金現在重點支持中芯國際、長江存儲、華虹宏力。”在福建廈門舉行的本屆年會上，國家集成電路產業投資基金股份有限公司簡稱“大基金”總經理丁文武強調。集成電路制造是國家發展和支持的重點領域，而鑒于信息和產業安全，發展存儲器產業已成為“重中之重”。

　　“我們在正確的道路上，向著正確的方向取得了實實在在的發展。”長江存儲總經理楊士寧如此概括該公司在3D-NAND領域的業務進展。在楊士寧看來，中國現在具有發展存儲器產業的機遇：目前55%的存儲器市場在中國，集中的市場下，需要一個打破現有平衡的供應商。而長期的國家政策和資金支持，使得產業有了一定的積累，有了聚集全球半導體領域人才的可能。

　　“但一個空前的挑戰是，在主流集成電路領域已經沒有‘容易干的活’。”楊士寧也清楚中國發展存儲器的難度。這個產業的發展速度之快，使技術上落后五年就等于“已被判死刑”。鑒于此，長江存儲選擇了3D-NAND作為突破口。事實上，3D-NAND已成為存儲器發展“眾望所歸”的方向。

　　楊士寧介紹稱，長江存儲主要股東武漢新芯的3D-NAND架構已完全打通，目前已進展到可靠性測試環節。此前，據中國科學院微電子研究所所長葉甜春介紹，武漢新芯與該所聯合完成了39層3D-NAND工藝流程搭建和原型結構開發，各項結構參數達到要求，開始產品試制。

　　在本屆年會上，中芯國際首席運營官趙海軍笑言，雖然已成為產業風向標，中芯國際對集成電路產業的態度依然是：“縱你虐我千百遍，我仍待你如初戀。”趙海軍表示，中芯國際的目標是國內頂尖和世界前三。據透露，中芯國際在技術上已進入14nm級的研發階段、10nm級的儲備階段，近期在產能擴張上也有望再度發力。

　　不過，中芯國際等龍頭企業追趕全球先進水平的腳步可能還需要提速。“在臺積電即將量產10nm級產品的情況下，不管是28nm級還是14nm級，都已略顯落后。更好地學習先進，在別人走過的道路上不走冤枉路，才能加速前進和追趕。”一位上游設備供應商代表對上證報記者表示。

　　設備材料領域從無到有

　　“集成電路產業的競爭到最后就是設備和材料的競爭。”一位業內資深人士向記者強調。在本屆年會上，上游設備材料領域也有“喜報”：國內企業已實現“從無到有”，一批高端集成電路設備成功進入大規模生產線。先看一組數據，據中國電子專用設備工業協會對國內34家集成電路設備制造商的最新統計，2015年度，國產集成電路設備的整體銷售收入為47.17億元，同比增長16.4%；實現利潤10.53億元，同比增長24.2%；出口交貨值6.62億元，同比增長50.1%，均創歷史新高。該協會副秘書長金存忠預測：2016年，我國主要集成電路設備制造商的整體銷售收入將增長約25%。

　　其中，作為國內領先的刻蝕機制造商，早在2015年2月，中微半導體就以其等離子體刻蝕機的問世，迫使美國放開了該產品的對華出口限制。而目前，中微半導體的等離子刻蝕設備已可涵蓋大部分LOGIC器件的介質刻蝕，在CCP介質刻蝕設備、TSV/MEMS刻蝕設備、MOCVD設備等方面均已排進全球前三。該公司的新產品ICP刻蝕設備已進入生產線認證，VOC設備已完成客戶驗證并實現重復訂貨。

　　盛美半導體董事長王暉表示，國內集成電路裝備產業已走過“原始部落時代”，進入“春秋戰國時代”，各龍頭企業開始以自己的核心產品快速打開國際市場，同時并購國外具有核心技術的小公司，并加快證券化進程以借力于資本市場。王暉預測，到2021年，國內集成電路裝備產業將進入“三國鼎立時代”。屆時，上市公司將成為競爭主體，并以市場為杠桿整合那些未上市企業，進而集中成少數幾家有實力的、具備國際先進水平的公司。資料顯示，盛美半導體的濕法工藝技術已達世界先進水平。而在這方面，北方微電子可能走得更快，該公司已通過“投身”七星電子實現了證券化。

　　另一方面，在關鍵材料領域，北京科華的光刻膠已經應用于6英寸和8英寸生產線，并表示力爭在2016年完成12英寸生產線的試用突破。

　　“他們實現了國產設備從無到有的突破。”作為同行，泛林集團LAM副總裁兼中國區總經理劉二壯這樣評價上述集成電路設備公司。不過，劉二壯進一步指出：中國的設備商與LAM、ASML等國際設備巨頭相比，還有相當的距離，尚未能進入光刻機等更高端的核心技術領域；此外，基于國內廠商采取了與本土用戶合作進行設備研發、驗證的模式，而國內用戶在技術上還整體落后于國際水平，由此導致國內設備無法做到世界頂尖水平。劉二壯強調，中國集成電路設備材料業的成敗，在于是否能夠抓住這次全球產業轉移和國內產業擴張的機會。而在此過程中，一定要和全球最先進的用戶展開合作開發，但目前來看，還沒有這樣的機會。不過，基于中國的市場規模，LAM、ASML均曾表示，不排除與中國的設備商展開各種形式合作的可能。

　　聚焦“創新”和“人才”

　　形勢一片大好之際，也有諸多業內人士“先天下之憂而憂”，在本屆年會上，中國集成電路產業所面臨的創新能力與人才儲備問題成為重要話題。

　　在葉甜春看來，中國的集成電路企業目前尚缺乏創新，“一是沒有意識到已到了需要創新的時候；二是‘跟隨’太久，已經不擅長創新了。”他認為，國內企業已從緊跟世界領先水平，到了走向自主創新的時候，“跟隨”戰略已不能驅動產業發展，獲得“探路和創新”能力，已成為國內企業做大做強的決定性因素。

　　據了解，不僅在企業層面，各級政府也將集成電路產業的人才問題提上了重要日程。在本屆年會上，工信部電子司集成電路處處長任愛光致開幕辭時透露，工信部將著力加強集成電路產業的人才培養，并正探討是否采取比利時的大學校際微電子研究中心IMEC模式，聚集全球半導體人才，打造中國的高端人才培養平臺。目前，IMEC作為比利時的微電子產業平臺，匯集了全球集成電路人才和企業客戶，投入產出比超過1：9。任愛光表示，工信部也在聯合企業，針對高端人才引進和基礎工程技術人員培訓進行部署。

　　基礎人才的培養同樣成為業界重視的問題。ASML中國地區總經理金泳璇認為，中國集成電路產業最大的挑戰是中高端人才的問題，“目前來看人才似乎還算充足，但有那么多生產線要建，中國能夠及時培養足夠的基礎工程師來支持這個產業嗎？事實上，我們ASML中國也在搜尋優秀人才，但很困難。”對此，有中芯國際相關人士表示，隨著產能擴張，人才招聘和培訓已成為中芯國際的“大事”，“畢竟，一年要上幾條產線，從高端管理人員到基礎工程師，需求都很大。”