據(jù)悉，2015年度國家科學(xué)技術(shù)獎擬于2016年1月份在人民大會堂舉辦頒獎典禮。據(jù)分析，備受矚目的技術(shù)發(fā)明一等獎有望花落“硅襯底高光效GaN基藍(lán)色發(fā)光二極管”項(xiàng)目。硅襯底項(xiàng)目的主要參與人員孫錢表示，從國家戰(zhàn)略層面講，硅襯底技術(shù)是我國擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的技術(shù)路線，可以構(gòu)建中國完全自主的LED產(chǎn)業(yè)。

　　與硅襯底技術(shù)并列LED三大技術(shù)路線的藍(lán)寶石襯底技術(shù)曾獲2014年諾貝爾物理學(xué)獎。有產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟(jì)學(xué)家表示，在成本持續(xù)下降的背景下，硅襯底技術(shù)如若能獲得資本大力追捧，LED產(chǎn)業(yè)格局有望被重塑。

　　12月16日，國務(wù)院常務(wù)會議通過2015年度國家科學(xué)技術(shù)獎評選結(jié)果，根據(jù)此前的初評公示及歷史經(jīng)驗(yàn)判斷，2015年國家技術(shù)發(fā)明一等獎有望被“硅襯底高光效GaN基藍(lán)色發(fā)光二極管”奪取，因?yàn)檫@是本年度唯一一個入選該獎項(xiàng)初評一等獎的項(xiàng)目。

　　“硅襯底高光效GaN基藍(lán)色發(fā)光二極管”由江西省申報，項(xiàng)目主要參與人員包括南昌大學(xué)的江風(fēng)益教授、晶能光電有限公司的孫錢等人。

　　項(xiàng)目資料顯示，該項(xiàng)目率先攻克硅基相關(guān)難題，所生產(chǎn)的硅襯底LED各項(xiàng)指標(biāo)在同類研究中均處于國際領(lǐng)先地位，并與碳化硅、藍(lán)寶石兩條技術(shù)路線水平持平；并從襯底加工、外延生長、芯片制造、器件封裝四大環(huán)節(jié)均發(fā)明了適合硅襯底高光效藍(lán)光LED生產(chǎn)的關(guān)鍵核心技術(shù)，自成體系；該項(xiàng)技術(shù)已經(jīng)申請或擁有國際國內(nèi)專利232項(xiàng)，其中已授權(quán)發(fā)明專利127項(xiàng)，實(shí)現(xiàn)了外延芯片核心部件每一層都有專利保護(hù)。

　　據(jù)介紹，國家技術(shù)發(fā)明一等獎判定標(biāo)準(zhǔn)為：屬國內(nèi)外首創(chuàng)的重大技術(shù)發(fā)明或創(chuàng)新，技術(shù)經(jīng)濟(jì)指標(biāo)達(dá)到了同類技術(shù)領(lǐng)先水平，且推動相關(guān)領(lǐng)域技術(shù)進(jìn)步且已產(chǎn)生顯著的經(jīng)濟(jì)或者社會效益。