來自麻省理工學院(MIT)的研究人員們近日找到了通向25nm半導體工藝的路子，而且使用的仍是現(xiàn)在最常用的193nm深紫外(DUV)光刻技術。這也就是說，半導體廠商可以不必急于上馬更昂貴、更復雜的13.5nm遠紫外(EUV)光刻技術了。

　　DUV光刻技術從1995年開始使用，早在上世紀九十年代末就有人認為它將在2003年走到盡頭，從100nm工藝開始就需要使用EUV光刻技術，而在技術人員們的努力下，現(xiàn)在的45nm工藝依然在使用DUV。Intel、IBM、AMD等也都在積極試驗EUV技術，并已取得突破性進展，預計會在2013年轉入16nm工藝的時候投入實用。

　　在IBM和Intel加足馬力研究22nm工藝的時候，MIT的成就簡單得有些難以置信。MIT的報告稱，研究人員們已經成功使用干涉光刻技術(又稱全息光刻)制造了25nm管道，同時光刻印刷過程不再是問題，最大的麻煩來自于原材料。在使用現(xiàn)有材料的情況下，管道側壁的粗糙度已經無法很好地控制，也是進一步縮小工藝的最大障礙。

　　盡管如此，研究人員們依然對前景充滿信心，認為“光刻技術仍有很大的發(fā)展空間，同時沒有任何障礙是無法跨越的”。

　　最后再說說這其中用到的干涉光刻技術。這種技術的缺點是只能制造規(guī)則排列的圖案，想用它生產任意形狀圖案的復雜芯片是不可能的；好處則是生產規(guī)則圖案的速度非常快，事實上也有很多芯片使用的就是規(guī)則圖案。MIT認為，他們的技術“將為下一代計算機存儲器、集成電路芯片，以及高級太陽能電池等設備鋪平道路”。看來MIT也清楚，這種新技術的應用范圍很有限，想用來投產復雜的微處理器是不太可能的。