1.功率巨頭合縱連橫，行業(yè)整合力度不斷加強(qiáng)

　　建廣收購(gòu) NXP 標(biāo)準(zhǔn)部門完成交割，填補(bǔ)國(guó)內(nèi)汽車、工業(yè) IC 空白繼 2015 年以 18 億美元的金額成功收購(gòu)恩智浦的 RF Power（大功率功放管）部門之后， 近日建廣資產(chǎn)主導(dǎo)的中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)最大一筆海外并購(gòu)案也順利交割，建廣資產(chǎn)以 27.5 億美元收購(gòu)恩智浦（NXP）標(biāo)準(zhǔn)件業(yè)務(wù)，該部門主營(yíng)業(yè)務(wù)為分立器件、邏輯芯片和 PowerMOS 芯片等產(chǎn)品。此次收購(gòu)的順利完成，標(biāo)志著建廣資本有望成為我國(guó)半導(dǎo)體業(yè)規(guī)模最大且利潤(rùn)最高的 IDM（垂直一體化）企業(yè)。

　　恩智浦標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品業(yè)務(wù)具有全球領(lǐng)先的覆蓋率、生產(chǎn)能力和盈利能力。此次交易完成后，恩智浦標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品業(yè)務(wù)部門將成為一家名為 Nexperia 的獨(dú)立公司。恩智浦的標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品業(yè)務(wù)，包括分立器件、邏輯器件及PowerMOS 等產(chǎn)品，除了設(shè)計(jì)部門，該交易還包括恩智浦位于英國(guó)和德國(guó)的兩座晶圓制造工廠和位于中國(guó)、馬來(lái)西亞、菲律賓的三座封測(cè)廠和位于荷蘭的恩智浦工業(yè)技術(shù)設(shè)備中心，及標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品業(yè)務(wù)的全部相關(guān)專利和技術(shù)儲(chǔ)備。

近年來(lái)建光資本與 NXP 達(dá)成多起并購(gòu)交易

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　　Infineon 收購(gòu) Wolfspeed 被迫終止，政府加強(qiáng)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域管控近日，美國(guó)外國(guó)投資委員會(huì)（CFIUS）以國(guó)家安全問(wèn)題為由，終止美國(guó)Cree 將旗下主營(yíng)碳化硅業(yè)務(wù)的 Wolfspeed 出售給歐洲 Infineon，顯示出美國(guó)新政府對(duì)碳化硅相關(guān)產(chǎn)業(yè)的強(qiáng)烈重視。

美國(guó)政府強(qiáng)制終止 Wolfspeed 并購(gòu)交易

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　　歐洲功率器件龍頭 Infineon 欲以 8.5 億美元收購(gòu) Wolfspeed，成為碳化硅功率器件市場(chǎng)的領(lǐng)跑者。日本政府將碳化硅納入“首相戰(zhàn)略”，認(rèn)為未來(lái) 50%的節(jié)能要通過(guò)它來(lái)實(shí)現(xiàn)。我國(guó)通過(guò) 863 計(jì)劃、國(guó)家 02 重大專項(xiàng)促進(jìn)碳化硅產(chǎn)業(yè)的發(fā)展并將碳化硅襯底列入十三五《戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)產(chǎn)品目錄》。

國(guó)內(nèi)已初步形成 SiC 垂直產(chǎn)業(yè)鏈

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　　作為下一代功率器件主要發(fā)展方向，碳化硅將為電力電子帶來(lái)重要的技術(shù)革新，并將推動(dòng)電力電子領(lǐng)域在今后 20-30 年的發(fā)展。與硅器件不同，國(guó)內(nèi)外廠商在碳化硅領(lǐng)域起步差距較小， 隨著我國(guó)政府對(duì)碳化硅產(chǎn)業(yè)的重視和國(guó)內(nèi)企業(yè)研發(fā)能力的提升，國(guó)內(nèi)也逐步形成了從襯底、外延到器件的垂直產(chǎn)業(yè)鏈，這一方面可以逐步擺脫對(duì)國(guó)外襯底、外延的依賴，另一方面也為器件廠商提供了更大的上游議價(jià)能力，推動(dòng)了國(guó)內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)的發(fā)展， 國(guó)內(nèi)廠商甚至有望借助碳化硅材料實(shí)現(xiàn)功率領(lǐng)域的“彎道超車”。

　　2. 國(guó)外廠商優(yōu)勢(shì)明顯，國(guó)內(nèi)廠商快速發(fā)展力圖進(jìn)口替代

　　目前全球半導(dǎo)體功率分立器件中高端產(chǎn)品生產(chǎn)廠商主要集中在歐美、日本和臺(tái)灣地區(qū)。美國(guó)、日本和歐洲功率器件廠商大部分屬于 IDM 廠商，而我國(guó)臺(tái)灣的廠商則絕大多數(shù)屬于 Fabless 廠商。并且不同地區(qū)通過(guò)產(chǎn)業(yè)分工，形成了各自的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。美國(guó)在功率 IC 領(lǐng)域具有絕對(duì)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，歐洲在功率 IC 和功率分立器件方面也都具有較強(qiáng)實(shí)力，日本在分立功率器件方面競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)較強(qiáng)，但在功率 IC 芯片方面，雖然廠商數(shù)量眾多，但整體市場(chǎng)份額不高。

2015 年全球功率半導(dǎo)體廠商市場(chǎng)占有率

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全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模

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2014 年中國(guó)占據(jù)功率器件市場(chǎng)40%份額

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　　國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體上下游產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀：

　　上游原材料層面， 與整體半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)相似， 晶圓供應(yīng)商在上游產(chǎn)業(yè)鏈中仍占據(jù)較大話語(yǔ)權(quán)；此外在國(guó)際廠商帶動(dòng)下， 寬禁帶材料 SiC、GaN 等正逐步進(jìn)入市場(chǎng)；生產(chǎn)廠商層面，國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體廠商基本為 IDM 模式，即具備從設(shè)計(jì)、制造到封裝測(cè)試完整生產(chǎn)鏈，但絕大多數(shù)廠商只在二極管、低壓 MOS 器件、晶閘管等相對(duì)低端器件的生產(chǎn)工藝方面較為成熟，對(duì)于 IGBT 等高端器件， 國(guó)內(nèi)只有極少數(shù)廠商擁有生產(chǎn)和封裝能力，國(guó)內(nèi)銷售的高端功率器件產(chǎn)品仍然被美、日、歐廠商所主導(dǎo)。面對(duì)良好的市場(chǎng)發(fā)展前景和巨大的進(jìn)口替代市場(chǎng)，對(duì)于國(guó)內(nèi)廠商來(lái)說(shuō)，通過(guò)國(guó)際產(chǎn)業(yè)并購(gòu)、自主技術(shù)突破以實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品提升、進(jìn)口替代，是當(dāng)下的必然選擇。下游應(yīng)用層面，功率 IC 多用于電源管理芯片，進(jìn)而應(yīng)用于消費(fèi)電子、家用電器、電源設(shè)備等；功率模組多用于新能源汽車、智能電網(wǎng)、軌道交通等各傳統(tǒng)和新興產(chǎn)業(yè)中的 DC/AC 逆變器、整流器、驅(qū)動(dòng)控制電路方面。 受益于我國(guó)新能源汽車等產(chǎn)業(yè)的強(qiáng)勢(shì)發(fā)展，近年來(lái)國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體器件/模組市場(chǎng)需求加速提升，國(guó)產(chǎn)替代迫在眉睫，有望成為我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中一個(gè)特色增長(zhǎng)點(diǎn)。

功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈

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