IGBT是一種復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，為世界公認的電力電子第三次技術革命的代表性產品，具有高頻率、高電壓、大電流，易于開關等優良性能，被業界譽為功率變流裝置的“CPU”。近年來，隨著國民經濟的快速發展，功率半導體技術已經日益廣泛地應用于日常消費品、工業制造、電力輸配、交通運輸、航空航天、可再生能源及軍工等重點領域，只要涉及到用電的各種場合，就離不開以功率半導體為核心的電力電子技術的應用。“目前，中國是世界上最大的功率半導體器件消費國，但作為產業鏈高端的功率芯片則全部依賴進口，這勢必影響國民經濟的安全、可持續發展。

　　我國IGBT技術取得一定突破，應用需求巨大。IGBT芯片技術方面，中國南車建成全球第二條、國內首條8英寸IGBT芯片專業生產線，具備年產12萬片芯片、并配套形成年產100萬只IGBT模塊的自動化封裝測試能力，芯片與模塊電壓范圍實現從650V到6500V的全覆蓋。去年成功實現首批8英寸1700V IGBT芯片下線，8英寸3300V芯片已完成試制與測試，6500V芯片也已研發出合格樣品。IGBT模塊技術方面，封裝IGBT模塊所用芯片大多由英飛凌、ABB等國外公司提供，只有極少量的芯片由國內生產，國產IGBT芯片年產值不到1億元。但我國卻是全球最大的功率半導體消費市場，占全球市場的40%以上，未來一段時期仍將保持15%以上的速度增長，市場潛力巨大。

　　在新能源、節能環保“十二五”規劃等一系列國家政策措施的支持下，國內IGBT的發展獲得巨大的推動力，市場持續快速增長。2016年，國內IGBT市場規模達105.4億元。近幾年我國IGBT市場規模情況如下圖所示：

2008-2016年我國IGBT市場規模情況

資料來源：公開資料整理