到2015年，實現從基礎研究、前沿技術、應用技術到示范應用全創新鏈的重點技術突破，關鍵生產設備、重要原材料實現國產化。

　　技術快速發展

　　《規劃》介紹，近年來，半導體照明技術快速發展，正向更高光效、更優發光品質、更低成本、更多功能、更可靠性能和更廣泛應用方向發展。目前，國際上大功率白光LED(發光二極管)產業化的光效水平已經超過130lm/W(流明/瓦)。實驗室LED光效超過200lm/W。雖然LED的技術創新和應用創新速度遠遠超過預期，但與400lm/W的理論光效相比，仍有巨大的發展空間。半導體照明在技術快速發展的同時也不斷催生出新的應用。目前，競爭焦點主要集中在GaN基LED外延材料與芯片、高效和高亮度大功率LED器件、LED功能性照明產品、智能化照明系統及解決方案、創新照明應用及相關重大裝備開發等方面。

　　OLED(有機發光二極管)作為柔和的平面光源，與LED光源可以形成互補優勢，近年來發展同樣迅速。據報道，實驗室白光OLED光效已達128lm/W。與之相關的有機發光材料、生產裝備和新型燈具的研發正順勢而上。目前，市場上已有少量OLED照明產品。

　　產業爆發式增長

　　近年來，許多發達國家/地區政府均安排了專項資金，設立了專項計劃，制定了嚴格的白熾燈淘汰計劃，大力扶持本國和本地區半導體照明技術創新與產業發展。全球產業呈現出美、日、歐三足鼎立，韓國、中國大陸與臺灣地區奮起直追的競爭格局。半導體照明產業已成為國際大企業戰略轉移的方向，產業整合速度加快，商業模式不斷創新。瞄準新興應用市場，國際大型消費類電子企業開始從產業鏈后端向前端發展。以中國臺灣地區為代表的集成電路廠商也加快了在半導體照明領域的布局。專利、標準、人才的競爭達到白熱化，產業發展呈爆發式增長態勢，已經到了搶占產業制高點的關鍵時刻。

　　在國家研發投入的持續支持和市場需求的拉動下，我國半導體照明技術創新能力得到了迅速提升，產業鏈上游技術創新與國際水平差距逐步縮小，下游照明應用有望通過系統集成技術創新實現跨越式發展。部分產業化技術接近國際先進水平，功率型白光LED封裝后光效超過110lm/W，接近國際先進水平。指示、顯示和中大尺寸背光源產業初具規模，產業鏈日趨完整，功能性照明節能效果已經顯現。標準制定及檢測能力有了長足進步，已制定并公布了22項國家標準和行業標準。

　　制定規劃意義重大

　　科技部高新司負責人表示，隨著人們對更高照明品質的追求，半導體照明應用市場的快速發展，以及城市化進程對節能減排的壓力日益增大，迫切需要開展LED光源及照明產品的產業化關鍵技術研發;與此同時，半導體照明產業發展也有利于推動新型顯示、數字家電、汽車、裝備等國民經濟支柱產業的轉型升級。此外，半導體照明產業的技術、勞動雙密集型特征，可以創造更多的就業崗位。

　　該負責人介紹，我國半導體照明產業與國際先進水平相比還存在不小差距，主要體現在：MOCVD等核心設備及部分原材料仍然依賴進口;外延芯片缺乏核心專利;測試方法及設備支撐不足;相關專利及技術規范研究和布局落后于產業發展。

　　該負責人表示，在搶占產業制高點的關鍵時期，制定半導體照明專項規劃，有助于進一步明確未來五年我國技術突破的重點方向，從而集中資源解決產業發展技術瓶頸，逐步縮小產業鏈上游技術創新與國際水平差距，通過系統集成創新在下游照明應用實現跨越式發展。

　　重點技術實現突破

　　《規劃》提出，到2015年，實現從基礎研究、前沿技術、應用技術到示范應用全創新鏈的重點技術突破，關鍵生產設備、重要原材料實現國產化;重點開發新型健康環保的半導體照明標準化、規格化產品，實現大規模的示范應用;建立具有國際先進水平的公共研發、檢測和服務平臺;建成一批試點示范城市和特色產業化基地，培育一批擁有知名品牌的龍頭企業，形成具有國際競爭力的半導體照明戰略性新興產業。

　　科技部高新司負責人表示，為了實現上述目標，專項規劃對半導體照明全創新鏈進行了全面部署，在前沿技術方面，重點布局大尺寸Si襯底等白光LED制備技術，單芯片白光、UV-LED、OLED等新型白光照明技術，高光效、高可靠、低成本的核心器件產業化技術，核心裝備和關鍵配套原材料國產化等內容;在應用技術研究方面，重點布局低成本、替代型和多功能創新型半導體照明產品及系統開發，半導體照明創新應用產品開發及示范等內容;建設創新機制體制開放的、國際化的公共研發平臺;通過示范應用，推動“十城萬盞”試點工作順利實施。

　　在2015年，產業化白光LED器件光效達到國際同期先進水平(150~200lm/W)，硅基半導體照明、創新應用、智能化照明系統開發等達到世界領先水平;產業規模達到5000億元。建成50個“十城萬盞”試點示范城市;建立國際化、開放性的國家公共技術研發平臺。