在太陽能光伏產(chǎn)業(yè)鏈中，多晶硅提純技術(shù)的突破將帶來近幾年的市場熱點(diǎn)。在整個太陽能光伏產(chǎn)業(yè)鏈中，中國企業(yè)多數(shù)進(jìn)入的是位于后端的太陽能電池和組件的生產(chǎn)環(huán)節(jié)，多晶硅提純環(huán)節(jié)屬于中國制造業(yè)技術(shù)較為薄弱的環(huán)節(jié)。中國已投和在建的幾十家多晶硅廠，多數(shù)采用西門子改良工藝，一些關(guān)鍵技術(shù)中國還沒有掌握。在提煉過程中70%以上的多晶硅都通過氯氣排放了，不僅提煉成本高，而且環(huán)境污染非常嚴(yán)重。國內(nèi)一些企業(yè)已將開始小規(guī)模嘗試物理法提純多晶硅，一旦技術(shù)成熟形成規(guī)模生產(chǎn)，多晶硅成本和耗能將大大降低，其投資成本約為西門子的十分之一。

　　放眼未來十年市場，非晶硅薄膜電池技術(shù)將成為業(yè)界中的主流技術(shù)。對于不同薄膜電池的發(fā)展，雖然CIS(銅銦硒)和CIGS(銅銦硒鎵)電池轉(zhuǎn)換效率更高，但是工藝的不穩(wěn)定性和原材料的稀缺性都限制了其發(fā)展。CdTe電池已經(jīng)逐漸被市場所認(rèn)可，生產(chǎn)也進(jìn)入了大規(guī)模量產(chǎn)階段，成本仍有下降空間，未來幾年市場規(guī)模也將繼續(xù)擴(kuò)大。不過從長期看，鎘的毒性限制了CdTe電池的發(fā)展，市場潛力不如非晶硅薄膜電池。鎘、砷元素有毒，而銦則是微量元素，地殼中含量相對較少。相比而言，非晶硅電池在原料和工藝穩(wěn)定性上都更具發(fā)展?jié)摿Γ�但非晶薄膜電池的轉(zhuǎn)換效率不高，衰退性能成為限制非晶薄膜電池發(fā)展的技術(shù)瓶頸。

　　高亮LED產(chǎn)業(yè)

　　高亮和超高亮LED將以21%的速度遞增

　　目前高亮和超高亮LED已經(jīng)占到中國LED市場的85%，是中國LED市場的成長動力。2009年，高亮度LED占中國LED市場的72.5%，超高亮LED占比約14%，同比增長18.7%和29.8%，而普通亮度LED市場縮小了6.5%。2012年，中國LED市場將達(dá)到402億元的規(guī)模，而其中高亮LED和超高亮LED市場為261.4億元和88.5億元，2010~2012年間的平均增長率為21%和38%。

　　LED照明是高亮和超高亮LED的重要應(yīng)用市場。LED照明包括景觀照明、路燈、汽車照明、室內(nèi)照明、室內(nèi)裝飾、交通指示燈等。2009年按亮度分，中國LED照明市場中，有20.4%使用了超高亮LED，有68.4%使用了中高亮度LED，而普通LED僅占11.2%。2009~2012年間，中國LED照明市場將保持22%左右的增長速度，2012年市場規(guī)模將從2009年的80.5億元提高到146億元。

　　顯示背光將成為高亮LED主要的增長市場。中國液晶背光顯示市場將強(qiáng)勁增長，2014年銷售額將從2010年的4.68億美元上升到12億美元，復(fù)合年度增長率為25.7%。快速成長的中國電視機(jī)市場將給高亮LED帶來市場機(jī)會，2013年，大陸液晶電視出貨量將達(dá)到4860萬臺，LED背光的滲透率約為50%，需要LED97.2億顆。

　　技術(shù)：自主創(chuàng)新任重道遠(yuǎn)

　　中國希望通過開發(fā)Si和GaN襯底的功率型GaN基LED，以減少國外專利的限制。藍(lán)寶石和SiC是最常用的兩種GaN基LED襯底，但前者的專利技術(shù)被日本日亞公司壟斷，而后者則被美國CREE公司壟斷。

　　南昌大學(xué)與廈門華聯(lián)電子有限公司合作承擔(dān)的國家863計劃項目“基于Si襯底的功率型GaN基LED制造技術(shù)”，已于2010年通過科技部項目驗(yàn)收。

　　跨國廠商早期在中國建立了LED封裝廠，現(xiàn)在正逐漸把外延、芯片等前段制程也轉(zhuǎn)移到中國來，其中以臺灣企業(yè)最為積極。2009年底，CREE開始在惠州建設(shè)LED芯片廠，這是CREE在北美以外的第一個芯片生產(chǎn)基地，CREE計劃將LED外延片加工部分的技術(shù)引進(jìn)中國。2010年5月，力晶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園LED晶片項目在徐州開工，總投資42億美元，將建設(shè)100條MOCVD藍(lán)光LED晶片生產(chǎn)線，以及8英寸、12英寸晶圓生產(chǎn)線。2010年4月，臺灣晶元光電在常州的LED外延和芯片生產(chǎn)基地開始建設(shè)，總投資6億美元，一期總投資3.6億美元，將投入30臺MOCVD外延爐。

　　展望與建議：大集團(tuán)可通過并購實(shí)現(xiàn)規(guī)模擴(kuò)張

　　中國LED市場迎來整合，大企業(yè)可通過收購中小型LED企業(yè)擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模。CREE自2007年正式并購惠州華剛之后，便延續(xù)使用華剛的封裝生產(chǎn)線，目前CREE的LED有85%都在惠州作封裝。進(jìn)入LED市場的企業(yè)，可以通過收購或參股的方式，擴(kuò)大產(chǎn)品線，分散生產(chǎn)，降低風(fēng)險。

　　芯片企業(yè)大規(guī)模擴(kuò)產(chǎn)使得襯底供不應(yīng)求，LED襯底將是下一個投資熱點(diǎn)。2010年4月，晶元光電的藍(lán)寶石襯底項目在常州開工，總投資2億元，計劃1~2年內(nèi)達(dá)到年產(chǎn)120萬片藍(lán)寶石襯底的產(chǎn)能，3~5年達(dá)到年產(chǎn)300~400萬片。2009年9月成立的嘉星晶電總投資1.2億元，第一期生產(chǎn)線的規(guī)模為年產(chǎn)50萬片藍(lán)寶石襯底，三年內(nèi)將擴(kuò)大到年產(chǎn)180萬片。2010年10月，水晶光電宣布擬投資建設(shè)年產(chǎn)360萬片高亮度LED用藍(lán)寶石襯底項目，投資額為1.09億元。

　　高亮和超高亮LED向通用照明、汽車照明等新行業(yè)滲透，LED企業(yè)需要與下游的燈具、汽車等企業(yè)展開合作。這些傳統(tǒng)企業(yè)擁有資金優(yōu)勢，并且十分關(guān)注LED領(lǐng)域，但卻缺乏LED方面的技術(shù)和經(jīng)驗(yàn)，為它們提供完善的服務(wù)和產(chǎn)品解決方案是關(guān)鍵。2010年8月，佛山照明與美國Bridgelux(普瑞)光電股份有限公司達(dá)成初步合作意向，普瑞將為佛山照明提供LED光源模組及照明解決方案。

　　IGBT產(chǎn)業(yè) 　車在馬前中國企業(yè)有望實(shí)現(xiàn)技術(shù)追趕

　　IGBTInsulatedGateBipolarTransistor，絕緣柵雙極型晶體管是功率器件技術(shù)演變的最新產(chǎn)品，是未來功率器件的主流發(fā)展方向。預(yù)計未來幾年IGBT市場增速將達(dá)到20%~30%。

　　國內(nèi)市場所需的高端電力電子器件90%主要依賴進(jìn)口，技術(shù)上長期受制于人。IGBT供應(yīng)主要控制在英飛凌、三菱、ABB、富士等外資巨頭手中。高鐵、智能電網(wǎng)、新能源與高壓變頻器領(lǐng)域所需的IGBT基本上完全依賴進(jìn)口。

　　2010年發(fā)改委高技614號文加大了對IGBT等電力電子器件的支持。文件明確支持MOSFET、IGBT等量大面廣的新型電力電子芯片和器件的產(chǎn)業(yè)化。強(qiáng)調(diào)重點(diǎn)解決芯片設(shè)計,制造和封裝等技術(shù)進(jìn)步問題。2009年《電子信息產(chǎn)業(yè)調(diào)整和振興規(guī)劃》也明確了IGBT等相關(guān)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展方向，《規(guī)劃》提出要提高新型電力電子器件的研發(fā)能力，以形成完整配套、相互支撐的產(chǎn)業(yè)體系。

　　技術(shù)：國內(nèi)已具備生產(chǎn)大功率IGBT模塊能力

　　目前國內(nèi)多晶硅產(chǎn)能上萬噸，生產(chǎn)廠商超過10家，多晶硅生產(chǎn)技術(shù)也取得長足進(jìn)步。新光硅業(yè)通過改良西門子工藝技術(shù)，已具備了多項世界先進(jìn)技術(shù)。新光硅業(yè)投資11.21億元的1000噸多晶硅高技術(shù)產(chǎn)業(yè)化示范工程項目于2009年5月通過驗(yàn)收，其三氯氫硅精餾、大型節(jié)能還原爐、四氯化硅氫化、還原尾氣干法回收等具有世界先進(jìn)水平的關(guān)鍵性技術(shù)得以應(yīng)用。重慶萬州大全1500噸多晶硅項目于2008年7月18日在重慶萬州正式投產(chǎn)，公司已陸續(xù)向無錫尚德、鎮(zhèn)江輝煌、浙江昱輝、天威英利等客戶提供產(chǎn)品。寧夏陽光2009年全年供應(yīng)海潤科技太陽能級原生多晶硅1000~1200噸，總金額約為27億元。

　　國內(nèi)已具備生產(chǎn)大功率IGBT模塊的能力。嘉興斯達(dá)半導(dǎo)體有限公司針對工業(yè)應(yīng)用中的中壓大功率驅(qū)動市場，推出了1700V、2500V中大功率模塊產(chǎn)品，其電流最高可達(dá)3600A。通過與國外企業(yè)合作，部分企業(yè)掌握了先進(jìn)技術(shù)。科達(dá)股份由于有美方的強(qiáng)力技術(shù)支持，直接利用世界最先進(jìn)的技術(shù)，能夠生產(chǎn)出國內(nèi)同類廠商無法生產(chǎn)的高端產(chǎn)品。南車時代于2008年并購了加拿大Dynex公司，通過此次并購，南車時代集團(tuán)擁有了生產(chǎn)大功率IG鄄BT、高壓電力電子組件等產(chǎn)品的技術(shù)和能力。

　　多晶硅技術(shù)創(chuàng)新獲突破。江西賽維LDK多晶硅錠生產(chǎn)工藝與設(shè)備研究等技術(shù)成果達(dá)到國際領(lǐng)先水平，生產(chǎn)出世界上第一個800kg多晶硅錠，也是世界上最大的多晶硅錠。新光硅業(yè)在四氯化硅熱氫化技術(shù)上取得突破，成為國內(nèi)第一個掌握該核心技術(shù)的多晶硅企業(yè)。

　　利用外部資源發(fā)展大功率器件，并取得技術(shù)突破。2008年，南車時代并購加拿大Dynex公司，實(shí)現(xiàn)了在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域技術(shù)和產(chǎn)業(yè)的跨越式發(fā)展，擁有了生產(chǎn)大功率IGBT、高壓電力電子組件等產(chǎn)品的技術(shù)和能力，其為高速鐵路生產(chǎn)的IGBT，已經(jīng)通過7MW變流器機(jī)組試驗(yàn)，為特高壓直流輸電工程生產(chǎn)的6英寸高壓晶閘管也已投入使用。

　　引進(jìn)國外技術(shù)，在高端封裝技術(shù)上實(shí)現(xiàn)突破。長電科技通過引進(jìn)國外專利技術(shù)、自主創(chuàng)新以及收購國外集成電路封裝技術(shù)研發(fā)機(jī)構(gòu)，已進(jìn)入了FCBGA、TSV、MIS等先進(jìn)的封裝技術(shù)領(lǐng)域的研發(fā)。同時實(shí)現(xiàn)了WLCSP、SiP等封裝技術(shù)成果的產(chǎn)業(yè)化。在高密度、系統(tǒng)集成、微小體積封裝技術(shù)領(lǐng)域已達(dá)到國際先進(jìn)水平。

　　展望：中國企業(yè)或?qū)④Q身強(qiáng)手之林

　　隨著中國工業(yè)化進(jìn)程的加快，未來對IGBT等半導(dǎo)體器件的需求將保持快速增長，并成為全球主要市場。預(yù)計全球大功率電力電子市場增長的40%～50%會在中國，另外30%在歐洲，20%在美國，以IGBT為代表的大功率半導(dǎo)體器件的銷售將大幅增長。

　　IGBT模塊在中國的迅速發(fā)展，必將加劇國外產(chǎn)品在中國市場的爭奪。隨著家電產(chǎn)品對IGBT產(chǎn)品的需求增大，外國企業(yè)產(chǎn)品紛紛進(jìn)入中國市場。變頻家電對IGBT需求增大，飛兆、三菱、富士、三洋等IGBT智能模塊產(chǎn)品紛紛打入中國市場。相機(jī)閃光燈充電器對于IGBT的需求量也很大，東芝、瑞薩等公司都推出了其相機(jī)閃光燈用IGBT。

　　中國企業(yè)躋身于世界級功率半導(dǎo)體器件供應(yīng)商之列，指日可待。IGBT模塊在中國的迅速發(fā)展，將提升國產(chǎn)IGBT模塊的國際地位。隨著南車時代、華微電子等中國企業(yè)在IGBT領(lǐng)域的突破，國內(nèi)企業(yè)有望借助于國內(nèi)市場的火爆而實(shí)現(xiàn)快速成長。

　　未來化合物半導(dǎo)體等新材料的應(yīng)用將把IGBT產(chǎn)業(yè)引入一個新的競爭平臺，中國企業(yè)將與外國企業(yè)處于同一起跑線上，前景看好。在傳統(tǒng)硅基IGBT產(chǎn)品領(lǐng)域，歐美和日本的公司已經(jīng)在過去20多年中產(chǎn)生了很多專利，從而形成了技術(shù)壁壘。以化合物半導(dǎo)體等新材料為基礎(chǔ)的IGBT將產(chǎn)業(yè)，將引入一個新的技術(shù)平臺。采用碳化硅等新材料的半導(dǎo)體器件，具有無需冷卻裝置的優(yōu)勢，正逐漸引起業(yè)界關(guān)注，中國企業(yè)在新材料形成大規(guī)模應(yīng)用前夕，將有望實(shí)現(xiàn)技術(shù)追趕。

　　光通信芯片產(chǎn)業(yè) 3G網(wǎng)絡(luò)總投資將達(dá)到2400億元

　　光通信是指通過光纖網(wǎng)絡(luò)傳輸通信數(shù)據(jù)信息的通信方式，包括從器件到系統(tǒng)制造等多個環(huán)節(jié)。光通信產(chǎn)業(yè)包括：光器件、光網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)設(shè)備、光纖光纜。

　　我國已將下一代互聯(lián)網(wǎng)、數(shù)字電視網(wǎng)與第三代移動通信網(wǎng)絡(luò)并列作為擴(kuò)大內(nèi)需的重大投資方向，預(yù)期總投資將超過6000億元。2010年4月，七部委發(fā)布《關(guān)于推進(jìn)光纖寬帶網(wǎng)絡(luò)建設(shè)的意見》，將在3年內(nèi)向光纖寬帶網(wǎng)絡(luò)建設(shè)投資超過1500億元，計劃到2011年，F(xiàn)TTx用戶超過8000萬。2010年7月，三網(wǎng)融合試點(diǎn)啟動，到2012年，試點(diǎn)地區(qū)寬帶接入能力超過每秒100Mb/S，城鎮(zhèn)新建區(qū)域?qū)⒅苯硬渴鸸饫w寬帶，已建區(qū)域加快“光進(jìn)銅退”改造。2010年4月，工信部等部門發(fā)布《關(guān)于推進(jìn)第三代移動通信網(wǎng)絡(luò)建設(shè)的意見》，2010~2011年，3G網(wǎng)絡(luò)建設(shè)的總投資將達(dá)到2400億元。

　　由于全球光通信設(shè)備和器件產(chǎn)業(yè)在加速向中國轉(zhuǎn)移，中國光通信芯片市場還將受到全球光通信市場需求增長的拉動。根據(jù)Ovum-RHK公司估計，2010年全球光傳輸設(shè)備市場超過135億美元，未來五年里，將保持5%左右的年復(fù)合增長率。

　　競爭：跨國公司與中國企業(yè)各顯神通

　　中國市場的光通信芯片主要依賴于外國供應(yīng)商。Phyworks是全球最大的無源光網(wǎng)絡(luò)用戶端光模塊的芯片供應(yīng)商，對中國出口的各類芯片每月在200萬片左右。中國PLC芯片同樣主要來自進(jìn)口。在光有源器件芯片方面，2.5Gb/s及以下速率的LD芯片、APD芯片大部分也依賴進(jìn)口。

　　在GPON芯片領(lǐng)域，華為、中興等設(shè)備廠商開始涉足芯片的設(shè)計。國內(nèi)一些在光器件方面領(lǐng)先的企業(yè)也開始向上游拓展，在芯片領(lǐng)域取得了一定的突破。武漢電信器件公司(WTD)主要生產(chǎn)光有源器件，也是國內(nèi)惟一一家完全采用自制DFB激光器、APD探測器管芯生產(chǎn)光有源器件，并且已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了規(guī)模化生產(chǎn)，其生產(chǎn)的光通信芯片，不但能滿足自身需要的90%，而且正在擴(kuò)大產(chǎn)能，準(zhǔn)備對外銷售。專門從事芯片研發(fā)設(shè)計的廈門優(yōu)迅是國內(nèi)第一家專業(yè)從事光收發(fā)芯片研發(fā)的公司，芯片出貨總量已經(jīng)超過1000萬片。

　　資金限制以及激烈的市場競爭導(dǎo)致中國芯片制造業(yè)難以實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。光器件芯片制造成本主要由人工工資和設(shè)備折舊構(gòu)成，中國勞動力成本相對較低，因此中國從事芯片制造具有成本優(yōu)勢。中國光通信芯片的實(shí)驗(yàn)室研究水平和國際先進(jìn)水平相當(dāng)，而且也具備相應(yīng)的人才儲備，但主要問題在于難以實(shí)現(xiàn)芯片技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化。由于行業(yè)總體規(guī)模不大，從事芯片研發(fā)和生產(chǎn)的主要是民營企業(yè)，往往無力籌措上億元的資金來購買機(jī)器設(shè)備并建設(shè)高標(biāo)準(zhǔn)的超凈廠房，以及應(yīng)對快速變化的技術(shù)環(huán)境。對于中國企業(yè)來說，從事芯片制造往往意味著要面臨國外廠商的激烈競爭，而一旦下游需求不能保證，則企業(yè)往往難以生存下去。目前國外的PLC芯片提供商一般都還有其他主營業(yè)務(wù)，并非只有芯片業(yè)務(wù)，因而可以通過其它業(yè)務(wù)為芯片業(yè)務(wù)提供支持。

　　未來發(fā)展：來自于下游企業(yè)向上游產(chǎn)業(yè)的延伸

　　全球和中國光通信市場的快速增長帶動了對光通信芯片的需求。光通信市場的發(fā)展給中國光器件產(chǎn)業(yè)帶來了發(fā)展機(jī)遇，而全球光器件產(chǎn)業(yè)也在加速向中國的轉(zhuǎn)移。光器件的生產(chǎn)具有勞動密集的特征，中國企業(yè)擁有成本優(yōu)勢，主要從事光器件的封裝工作。由于在光通信芯片方面主要依賴進(jìn)口，因此中國光器件企業(yè)在市場需求高漲的同時利潤空間并不大，芯片成為下游企業(yè)競爭力的一個制約因素。

　　中國光通信芯片產(chǎn)業(yè)未來發(fā)展可能會主要來自下游光器件和系統(tǒng)設(shè)備領(lǐng)域企業(yè)向上游的延伸。光器件廠商有較強(qiáng)的動力向上游拓展，國內(nèi)一些實(shí)力較強(qiáng)的光器件廠商有著向上游產(chǎn)業(yè)——芯片拓展的強(qiáng)烈的愿望與動力，并將在上游取得突破性進(jìn)展。對于上游芯片廠商來說，為了應(yīng)對來自下游的競爭威脅，將會發(fā)生更多的并購活動。2010年2月，全球有線和無線通信半導(dǎo)體市場的領(lǐng)導(dǎo)者Broadcom(博通)就收購了領(lǐng)先的以太網(wǎng)無源光網(wǎng)絡(luò)(EPON)芯片組和軟件供應(yīng)商Teknovus。2010年7月，通信芯片提供商Atheros(創(chuàng)銳訊)支付7200萬美元收購了中國PON芯片設(shè)計開發(fā)商Opulan(普然)。